1.為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT ，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL 。這條件必須滿足，并按可能遇到的低溫度考慮；

    2.要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須<IH, 并維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件；
    3. 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）；
    4. 為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H 系列低靈敏度雙向可控硅；
    5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題，加入一幾mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅模塊；
    6. 假如雙向可控硅模塊的VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一： 負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt； 用MOV 跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路；
    7. 選用好的雙向可控硅門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以較大限度提高雙向可控硅模塊的dIT/dt 承受能力；
    8. 若雙向可控硅模塊的dIT/dt 有可能被超出，負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通；
    9. 雙向可控硅器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅模塊受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)；
    10.為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證雙向可控硅Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的較高環(huán)境溫度。
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