在實際晶閘管模塊電路中，常在其兩端并聯RC串聯，常稱為RC阻容吸收電路。
       我們知道，晶閘管模塊有一個重要特性參數－斷態電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管模塊在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管模塊從斷態轉入通態的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管模塊的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管模塊的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發生這種情況。因為晶閘管模塊可以看作是由三個PN結組成。

       在晶閘管模塊處于阻斷狀態下，因各層相距很近，其J2結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結，這個電流起了門極觸發電流作用。如果晶閘管模塊在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管模塊上的陽極電壓上升率應有一定的限制。
       為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管模塊安全運行，常在晶閘管兩端并聯RC阻容吸收網絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容C串聯電阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現的過電壓損壞晶閘管模塊。同時，避免電容器通過晶閘管模塊放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。
        由于晶閘管模塊過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC阻容吸收就是常用的保護方法之一。采購可控硅歡迎訪問昆二晶官網。
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