談昆二晶晶閘管模塊的強觸發問題
昆二晶晶閘管模塊以其良好的通斷性能,廣泛應用于各類儀器設備當中。作為一種電流控制型的雙極型半導體器件,晶閘管模塊能夠向門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖,以保證在任何時刻均能可靠觸發晶閘管。晶閘管模塊的門極觸發脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數有非常強烈的影響。采用強觸發方式可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。下面,對昆二晶晶閘管模塊的強觸發予以詳細介紹:
一.觸發脈沖幅值對晶閘管模塊開通的影響
晶閘管模塊的門極觸發電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響,高的門極觸發電流可以明顯降低器件的開通時間。在觸發脈沖幅值僅為器件IGT時,器件雖可開通,但器件開通時間延遲明顯,會高達數十微妙,這對于整機設備的可靠控制、安全運行是不利的。
二.觸發脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊開通的影響
觸發脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊的開通速度也有明顯的影響,觸發脈沖上升時間越長,效果就等于降低了門極觸發電流。觸發脈沖越陡,上升時間越短的情況下,晶閘管模塊的開通時間也越短。
三.晶閘管模塊可靠觸發對門極觸發源要求
(1) 一般要求:
觸發脈沖電流幅值:IG = 10 IGT;
脈沖上升時間:tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運用:
器件在高di/dt下運用時,特別是當晶閘管模塊的阻斷電壓很高時,在開通過程中門-陰間橫向電阻所產生的電壓可能會超過門極電壓,嚴重時,甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加,可能會導致器件高di/dt損壞。
因此,我們要求在高di/dt下運用時,門極觸發電源電壓VG不低于20V,或在門極線路上串聯二極管,防止門極電流倒流。
(3) 晶閘管模塊串并聯使用
晶閘管模塊的串聯:晶閘管串聯管應用時,要求其相互串聯的每個晶閘管模塊應盡可能地一致開通。晶閘管模塊的并聯:陡而強的門極觸發脈沖能使并聯晶閘管開通特性的不平衡降至最小,從而使有最佳的均流效果。
昆二晶晶閘管模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!
一.觸發脈沖幅值對晶閘管模塊開通的影響
晶閘管模塊的門極觸發電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響,高的門極觸發電流可以明顯降低器件的開通時間。在觸發脈沖幅值僅為器件IGT時,器件雖可開通,但器件開通時間延遲明顯,會高達數十微妙,這對于整機設備的可靠控制、安全運行是不利的。
二.觸發脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊開通的影響
觸發脈沖上升時間(陡度)對晶閘管模塊的開通速度也有明顯的影響,觸發脈沖上升時間越長,效果就等于降低了門極觸發電流。觸發脈沖越陡,上升時間越短的情況下,晶閘管模塊的開通時間也越短。
三.晶閘管模塊可靠觸發對門極觸發源要求
(1) 一般要求:
觸發脈沖電流幅值:IG = 10 IGT;
脈沖上升時間:tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運用:
器件在高di/dt下運用時,特別是當晶閘管模塊的阻斷電壓很高時,在開通過程中門-陰間橫向電阻所產生的電壓可能會超過門極電壓,嚴重時,甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加,可能會導致器件高di/dt損壞。
因此,我們要求在高di/dt下運用時,門極觸發電源電壓VG不低于20V,或在門極線路上串聯二極管,防止門極電流倒流。
(3) 晶閘管模塊串并聯使用
晶閘管模塊的串聯:晶閘管串聯管應用時,要求其相互串聯的每個晶閘管模塊應盡可能地一致開通。晶閘管模塊的并聯:陡而強的門極觸發脈沖能使并聯晶閘管開通特性的不平衡降至最小,從而使有最佳的均流效果。
昆二晶晶閘管模塊真專家,為了您滿意,我們真的走心了。若對我們的晶閘管模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555!
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