目前交流調壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點，對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，下面我們來談談雙向可控硅在其使用中如何避免上述問題。
       1.靈敏度
       雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的最小門極電流IGT是有區別的。

       2.可控硅過載的保護
       雙向可控硅元件優點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成雙向可控硅損壞，因此為保證雙向可控硅正常工作，需有條件：
     （1）在雙向可控硅外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；
     （2）雙向可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.5~2倍來取；
     （3）為保證雙向可控硅控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，雙向可控硅過電壓保護常發生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于，雙向可控硅過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。
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