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雙向可控硅模塊十大使用規(guī)則

來(lái)源:昆二晶發(fā)布日期:2019-01-09關(guān)注:-
       可控硅模塊,是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,亦稱(chēng)為晶閘管模塊。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn),是比較常用的半導(dǎo)體器件之一,接下來(lái)就由昆二晶可控硅模塊小編為大家介紹雙向可控硅模塊十大使用規(guī)則。
       1、為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門(mén)極電流≧IGT ,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL ,這條件必須滿(mǎn)足,并按可能遇到的最低溫度考慮。   
       2、要斷開(kāi)(切換)閘流管(或雙向可控硅),負(fù)載電流必須<ih, 并維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間,使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài),在可能的最高運(yùn)行溫度下必須滿(mǎn)足上述條件。
       3、設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí),只要有可能,就要避開(kāi)3 象限(WT2-,+)。   
       4、為減少雜波吸收,門(mén)極連線長(zhǎng)度降至最低,返回線直接連至 MT1(或陰極),若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線,門(mén)極和 MT1 間加電阻 1kΩ或更小,高頻旁路電容和門(mén)極間串接電阻;另一解決辦法,選用H系列低靈敏度雙向可控硅。 

可控硅模塊

 
       5、若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問(wèn)題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路,若高dICOM/dt可能引起問(wèn)題,加入一幾 mH的電感和負(fù)載串聯(lián);另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。   
       6、假如雙向可控硅的 VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出,采用下列措施之一:負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于電源,并在電源側(cè)增加濾波電路。   
       7、選用好的門(mén)極觸發(fā)電路,避開(kāi) 3 象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。   
       8、若雙向可控硅的 dIT/dt 有可能被超出,負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻;另一種解決辦法:對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。  
       9、器件固定到散熱器時(shí),避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力,固定,然后焊接引線,不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。 
      10、為了長(zhǎng)期可靠工作,應(yīng)保證 Rth j-a足夠低,維持 Tj不高于 Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。
       昆二晶雙向可控硅模塊真專(zhuān)家,為了您滿(mǎn)意,我們真的走心了。若對(duì)我們的雙向可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢(xún),咨詢(xún)電話:0577-62627555

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