微觸發（高靈敏度）單向可控硅模塊一個重要的特性是使用時需要的門極觸發信號很小，一般它的觸發電流IGT≤150uA，但觸發電流隨溫度變化而發生變化，高溫時觸發電流變小，80℃時只有常溫（25℃）時的0.1-0.2倍，可控硅模塊容易受干擾而誤觸發；而低溫時觸發電流變大，-40℃的觸發電流是常溫（25℃）時的8-9倍，可控硅模塊不易觸發。
       因此在設計單向可控硅模塊觸發電路時，只要有可能，盡量采用觸發電流大的產品，在門極和陰極間并聯1KΩ電阻，以防止單向可控硅受干擾而誤導通。但同時必須考慮可能遇到的最低溫度，在最低溫度觸發電路的驅動電流是否能夠滿足單向可控硅模塊因低溫觸發電流變大后的導通條件。

       所以，目前大多數客戶實際控制的使用溫度(殼溫)范圍一般在-20℃～80℃，對于觸發電流的要求是：IGT(80℃)/IGT(25℃)≥0.3以及IGT(-20℃)/IGT（25℃）≤4.5
       正是因為單向可控硅模塊的溫度特性差，限制了使用者使用單向可控硅模塊的溫度范圍，同時也限制了選擇單向可控硅模塊觸發電流的范圍。因此，一般客戶選項擇觸發電流中間范圍的30-70uA以適應高低溫環境變化的應用要求。
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