可控硅模塊，全稱可控硅整流元件，以下是對可控硅模塊的結構介紹。
        可控硅模塊是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：第一層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是以一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。
        以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因為可控硅模塊的特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱 晶閘管T，又因為晶閘管最初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅模塊SCR.
        在性能上，可控硅模塊不僅具有 單向導電性，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導通和關斷兩種狀態.
        可控硅模塊能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用.

        可控硅模塊的優點很多，例如：以小 功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內開通、關斷；無觸點運行，無火花、無 噪音；效率高，成本低等等.
        可控硅模塊的弱點：靜態及動態的 過載能力較差；容易受干擾而誤導通.
        可控硅模塊從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形.
        可控硅模塊元件的結構：
        不管可控硅模塊的外形如何，可控硅的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構，有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以可控硅模塊是一種四層三端的半導體器件.
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