昆二晶告訴您可控硅模塊的符號(hào)都有哪些特殊含義
隨著電子元器件行業(yè)的不斷發(fā)展,現(xiàn)如今很多人對(duì)可控硅模塊已經(jīng)很了解了,那么可控硅模塊元件中參數(shù)的符號(hào)都代表了哪些意義呢?下面由可控硅模塊廠家昆二晶為大家一一介紹:
①可控硅模塊斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt:在額定結(jié)溫和門極斷路時(shí),使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。
②可控硅模塊門極觸發(fā)電流IGT:在室溫下,主電壓為6伏直流電壓時(shí),使元件完全開(kāi)通所必須的最小門極直流電流。
③可控硅模塊斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM:為不重復(fù)斷態(tài)峰值電壓的90%。
④可控硅模塊門極觸發(fā)電壓VGT:對(duì)應(yīng)于門極觸發(fā)電流時(shí)的門極直流電壓。
⑤可控硅模塊斷態(tài)重復(fù)平均電流IDR:對(duì)應(yīng)于斷態(tài)重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
⑥可控硅模塊斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓VDSM:門極斷路時(shí),在正向伏安特性曲線急劇彎曲處的斷態(tài)峰值電壓。
⑦可控硅模塊斷態(tài)不重復(fù)平均電流IDS:門極斷路時(shí),在額定結(jié)溫下對(duì)應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
⑧可控硅模塊通態(tài)平均電流IT:在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件下,元件在電阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波,導(dǎo)通角不小于170度的電路中,當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定并不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí),所允許的最大通態(tài)平均電流。采購(gòu)晶閘管歡迎訪問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
昆二晶可控硅模塊永遠(yuǎn)只比對(duì)手多一點(diǎn),就是多為客戶考慮一點(diǎn)。若對(duì)我們的可控硅模塊有興趣或存在疑惑,昆二晶歡迎您咨詢,咨詢電話:0577-62627555,我們竭誠(chéng)為您服務(wù)。
①可控硅模塊斷態(tài)電壓臨界上升率dv/dt:在額定結(jié)溫和門極斷路時(shí),使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率。
②可控硅模塊門極觸發(fā)電流IGT:在室溫下,主電壓為6伏直流電壓時(shí),使元件完全開(kāi)通所必須的最小門極直流電流。
③可控硅模塊斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM:為不重復(fù)斷態(tài)峰值電壓的90%。
④可控硅模塊門極觸發(fā)電壓VGT:對(duì)應(yīng)于門極觸發(fā)電流時(shí)的門極直流電壓。
⑤可控硅模塊斷態(tài)重復(fù)平均電流IDR:對(duì)應(yīng)于斷態(tài)重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
⑥可控硅模塊斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓VDSM:門極斷路時(shí),在正向伏安特性曲線急劇彎曲處的斷態(tài)峰值電壓。
⑦可控硅模塊斷態(tài)不重復(fù)平均電流IDS:門極斷路時(shí),在額定結(jié)溫下對(duì)應(yīng)于斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓下的平均漏電流。
⑧可控硅模塊通態(tài)平均電流IT:在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件下,元件在電阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波,導(dǎo)通角不小于170度的電路中,當(dāng)結(jié)溫穩(wěn)定并不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí),所允許的最大通態(tài)平均電流。采購(gòu)晶閘管歡迎訪問(wèn)昆二晶官網(wǎng)。
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