晶閘管模塊是一種電流控制型的雙極型半導體器件，它求門極驅動單元類似于一個電流源，能向晶閘管模塊的門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖，以保證在任何時刻均能可靠觸發晶閘管模塊。晶閘管模塊的門極觸發脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數有非常強烈的影響。我們建議用戶應用中采用強觸發方式，觸發脈沖電流幅值IG大于或等于10IGT；脈沖上升時間tr≤1μs。為了保證器件可靠工作，IG必須遠大于IGT。
       但在實際應用中，許多用戶觸發脈沖電流幅值和脈沖上升時間遠未能滿足上述要求。尤其在電機軟啟動領域，許多整機廠給出的觸發脈沖非常臨界，某些情況下竟無法讓元件開通。在中頻電源領域，逆變器件的觸發脈沖一般陡度較差。針對不同門極觸發條件對晶閘管模塊開通特性的影響問題，我們進行了一系列的模擬試驗。
       1．一般要求：
       鑒于晶閘管模塊的門極觸發脈沖特性對晶閘管開通過程的影響。好的觸發脈沖可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。用戶應用中應采用強觸發方式；
       觸發脈沖電流幅值：IG=10IGT；
       脈沖上升時間：tr≤1ms；
       門極脈沖寬度大于50微秒;
       為了保證器件可靠工作，IG必須遠大于IGT。
       2．高di/dt下運用：
       器件在高di/dt下運用時，特別是當晶閘管模塊的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產生的電壓可能會超過門極電壓，嚴重時，甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加或器件因di/dt損壞。可能會導致器件高di/dt損壞。
       如果一只Y50KKE器件在VG10V，di/dt1200A/μs條件下的IG波形。可見在器件開通1ms后，出現了門極電流倒流的現象。

       因此，我們要求在高di/dt下運用時，門極觸發電源電壓VG不低于20V，或在門極線路上串聯二極管，防止門極電流倒流。
       3．晶閘管模塊串并聯使用
       晶閘管模塊的串聯：晶閘管串聯管應用時，要求其相互串聯的每個晶閘管模塊應盡可能地一致開通，這是因為較慢開通的器件可能承受過電壓，這就要求同組相串聯的晶閘管模塊之間有最小的門極開通延遲時間偏差Δtd，而強的門極觸發脈沖能使這個延遲時間偏差Δtd降到最小。
       晶閘管模塊的并聯：陡而強的門極觸發脈沖能使并聯晶閘管模塊開通特性的不平衡降至最小，從而使有最佳的均流效果。
       在晶閘管模塊串并聯使用時，要求：
       IGM≈1-3A
       diG/dt≥1A/ms
       tr≤1ms
       tp(IGM)=5-20ms
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