可控硅模塊作為一種常見的電路控制方案，在很多電路中為開發者們所熟知。可控硅模塊雖然性能優越，但在某些時候其也會出現失控的情況，開發者必須提前掌握能夠造成可控硅模塊失控的情況來針對電路進行保護。本文就將針對可控硅失控的情況進行分析，并總結成三個原因。
       一、可控硅模塊的正向阻斷力降低
       首先來看第一個造成可控硅元件失去控制的原因，那就是可控硅的正向阻斷力降低。在平時的應用中，如果可控硅長時間不用，而同時又因為密封不好的緣故受潮，那么可控硅元件正向阻斷能力是很輕易降低的，可控硅元件的正向阻斷能力降低到低于整流變壓器的二次電壓，硅元件就不要等觸發脈沖到來就會自然的導通，導致脈沖控制不會起作用，輸出的電壓波形是1個正半波，使得勵磁電壓提升。

       二、維持電流過小
       導致可控硅元件失控的第二個常見原因是電路中的維持電流過小，由于發電機轉子是以電感為主的大電流負載，對于半控橋來講，電壓過零以后，電流不是零，即使半控橋在電感負載側設有續流管，不過要是續流管的管壓降高于導通的可控硅元件的管壓降，電感上的電流除了大部分從續流管流過外，仍有部分電流在原導通的可控硅模塊上流過。這個電流雖然是衰減的，但是在外加電壓整個負半周，電流仍未能減到小于維持電流，到下1個正半周到來時，該硅元件就不需要等觸發脈沖到來就繼續導通。如此連續下去，一相可控硅模塊連續導通，同樣會因輸出大電流而造成誤強勵。
       三、觸發器丟脈沖
       觸發器丟脈沖是第三個造成可控硅元件失去控制的重要原因，在電路系統正常運行的前提下，如果三相脈沖正常，即使維持電流很小可控硅元件也可以確保正常換相，不會出現失控的情況，而一旦出現了丟脈沖的情況，則可控硅模塊就不可以確保正常換相，元件本身也一定會失控。
       在電路設計中可控硅失控情況的因素大多數是由這三種情況引起的。針對正向阻斷力降低，需要重視電路的密封程度，而對于維持電流過小則需要開發者持續關注大電流。丟脈沖現象需要開發者保持可控硅的正常換相，只要針對以上三點進行注意，相信大家都能較為容易的控制可控硅模塊的失控現象。更多有關可控硅知識歡迎訪問昆二晶官網。
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